GB/T 6616-1995半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層 電阻測(cè)定

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 GB/T 6616-1995
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層 電阻測(cè)定 非接觸渦流法  
【 英文名稱 】 Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage
【 發(fā)布單位 】 SBTS
【 批準(zhǔn)單位 】 國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
【 發(fā)布日期 】 1995-4-18
【 實(shí)施日期 】 1995-12-1
【 開本頁(yè)數(shù) 】 5P
【 替代標(biāo)準(zhǔn) 】 GB 6616-1986
【 采用關(guān)系 】 ASTM F673-1990,EQV
【 起草單位 】 上海有色金屬研究所