GB/T 6352-1998半導(dǎo)體器件 分立器件第6部分

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 GB/T 6352-1998
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 半導(dǎo)體器件 分立器件第6部分:閘流晶體管第一篇 100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范  
【 英文名稱 】 Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section One-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient or case-rated,up to 100A
【 發(fā)布單位 】 國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局
【 批準(zhǔn)單位 】 國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局
【 發(fā)布日期 】 1998-11-17
【 實(shí)施日期 】 1999-6-1
【 開本頁數(shù) 】 13P
【 替代標(biāo)準(zhǔn) 】 GB/T 6352-1986
【 引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB/T 15291-1994; GB/T 4937-1995
【 采用關(guān)系 】 IDT IEC 747-6-1:1989 QC 750110
【 起草單位 】 電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所
【 起 草 人 】 于志賢; 楊志丹; 顧康麟