GB/T 13151-2005半導(dǎo)體器件 分立器件第6部分

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 GB/T 13151-2005
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 半導(dǎo)體器件 分立器件第6部分:晶閘管第三篇 電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范  
【 英文名稱 】 Semiconductor devices-Discrete devices-Part 6:thyristors-Section three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100 A
【 發(fā)布單位 】 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局; 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
【 發(fā)布日期 】 2005-3-23
【 實(shí)施日期 】 2005-10-1
【 開本頁數(shù) 】 15P
【 替代標(biāo)準(zhǔn) 】 GB/T 13151-1991
【 引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB/T 2423.23-1995; GB/T 4589.1-1989; GB/T 4937-1995; GB/T 7581-1987GB/T 12560-1999; GB/T 15291-1994
【 采用關(guān)系 】 IDT IEC 60747-6-3:1993
【 起草單位 】 中國(guó)南車集團(tuán)株洲電力機(jī)車研究所半導(dǎo)體廠; 北京金自天正智能控制股份有限公司半導(dǎo)體部; 北京變壓器有限公司; 天津市整流器廠; 中國(guó)北車集團(tuán)永濟(jì)電機(jī)廠元件分廠; 襄樊臺(tái)基半導(dǎo)體有限公司; 西安電力電子技術(shù)研究所
【 起 草 人 】 童宗鑒; 黎明; 王佰升; 韓立文; 張紅衛(wèi); 顏家圣; 秦賢滿