可選擇型低值電容標(biāo)準(zhǔn)的研究

作　　者：張艷麗[1] ;遲潔茹[1] ;黃璐[2] ;LEE RAEDUK[2] ;齊福強(qiáng)[1]
機(jī)構(gòu)地區(qū)：[1]青島大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院,山東青島266071; [2]中國計(jì)量科學(xué)研究院,北京100029
摘　　要：在電磁計(jì)量和儀器儀表行業(yè)中,通常需要高穩(wěn)定電容標(biāo)準(zhǔn)器裝置對(duì)儀器設(shè)備進(jìn)行量值檢定校準(zhǔn)以確保它們測(cè)量的準(zhǔn)確性。可選擇型低值電容就是一種可在同一系統(tǒng)中輸出不同穩(wěn)定微小電容值的標(biāo)準(zhǔn)器。針對(duì)該類電容器最大不確定度來源之一,即屏蔽柵通孔的邊緣效應(yīng),文中采用3-D電場(chǎng)仿真對(duì)其進(jìn)行了深入研究分析,同時(shí)依據(jù)仿真結(jié)果完成了一種可選擇型低值電容標(biāo)準(zhǔn)器的整體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),為其實(shí)際加工制作奠定了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。