晶振測(cè)試儀GDS-80晶體阻抗計(jì)

晶振測(cè)試儀GDS-80系列
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
晶振測(cè)試儀GDS-80系列是高性價(jià)比的晶振測(cè)試系統(tǒng)，采用網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)，實(shí)現(xiàn)智能化測(cè)量，符合IEC-444標(biāo)準(zhǔn)。測(cè)量頻率范圍10KHz-200KHz,1MHz-200MHz，附USB接口進(jìn)行數(shù)據(jù)通迅。
晶振測(cè)試儀GDS-80系列采用π型網(wǎng)絡(luò)零相位法實(shí)現(xiàn)串聯(lián)諧振頻率的測(cè)量，采用直接阻抗法來(lái)測(cè)試負(fù)載諧振頻率和負(fù)載電容，它測(cè)量精度高，速度快。具有串聯(lián)諧振頻率Fs、負(fù)載諧振頻率FL、串聯(lián)諧振電阻Rs、負(fù)載諧振電阻RL、負(fù)載電容CL、動(dòng)態(tài)電容C1、動(dòng)態(tài)電感L1、品質(zhì)因數(shù)Q、靜電容C0、頻率牽引力Ts等參數(shù)測(cè)量功能，負(fù)載電容在1-100P范圍內(nèi)任意編程設(shè)置，從滿足不同負(fù)載電容的晶振測(cè)試，智能網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)運(yùn)算克服了市場(chǎng)上晶振測(cè)試設(shè)備使用實(shí)體電容法測(cè)試精度差，無(wú)法測(cè)試電參數(shù)的缺點(diǎn)、解除了手工校對(duì)的麻煩，讓晶振測(cè)試變得更輕松。
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)：
SJ/Z 9154.1-87/ IEC 444-1(1989)《用π型網(wǎng)絡(luò)零相位法測(cè)量石英晶體元件參數(shù)第一部分：用π型網(wǎng)絡(luò)零相位法測(cè)量石英晶體元件諧振頻率和諧振電阻的基本方法》；
SJ/Z 9154.2-87/ IEC 444-2(1980)《用π型網(wǎng)絡(luò)零相位法測(cè)量石英晶體元件參數(shù)第二部分測(cè)量石英晶體元件動(dòng)態(tài)電容的相位偏置法》；
GB∕T22319.11-2018/IEC 60444-11:2010《石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量第11部分：采用自動(dòng)網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)和誤差校正確定負(fù)載諧振頻率和有效負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)方法》 ；


二、主要技術(shù)指標(biāo)     
1.        中心頻率范圍： 10KHz-200KHz,1MHz-200MHz任意設(shè)定
2.        掃描范圍：±1000ppm（默認(rèn)±400ppm）   
3.        負(fù)載電容：1-100P 任意設(shè)定
4.        串聯(lián)諧振頻率Fs測(cè)量范圍：±1000ppm（默認(rèn)±400ppm）  測(cè)量精度：±5ppm
5.        串聯(lián)諧振電阻Fr：1MHz-100MHz：1Ω-1000Ω （2±10%*R Ω）
10KHz-200KHz：10K-300K  （2±10%*R KΩ）
6.        負(fù)載電容CL測(cè)量范圍：1-200PF
7.        時(shí)基誤差：±1ppm  
8.        負(fù)載諧振頻率FL測(cè)量精度：±5ppm+時(shí)基誤差+0.5Pf*頻率牽引力Ts
9.        配件：插件式100歐π網(wǎng)絡(luò)測(cè)試座（標(biāo)配），貼片式100歐π網(wǎng)絡(luò)測(cè)試座（選配），插件式表晶測(cè)試座（選配），貼片式表晶測(cè)試座（選配），2520/3225/5032/7050貼片晶振適配套件（選配），通信軟件（僅GDS-80P/S）。