德國(guó)歐司朗公司開(kāi)發(fā)出高性能藍(lán)白光LED原型硅芯片

德國(guó)歐司朗公司（OSRAM）光電半導(dǎo)體研發(fā)人員地制造出高性能藍(lán)白光LED 原型硅芯片，氮化鎵發(fā)光材料層被置于直徑為150毫米硅晶圓基板上。這是首次成功利用硅晶圓基板取代藍(lán)寶石基板制作LED芯片，并保持了相同的照明質(zhì)量和效率。目前，該款LED芯片已經(jīng)進(jìn)入試點(diǎn)階段，在實(shí)際條件下接受測(cè)試。歐司朗公司表示首批硅晶圓LED芯片有望在兩年內(nèi)投放市場(chǎng)。
   
    硅晶圓基板芯片與傳統(tǒng)材料芯片相比具有明顯優(yōu)點(diǎn)。硅在半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用廣泛，可以滿足較大的晶圓直徑生產(chǎn)要求，同時(shí)硅材料具有更好的熱特性和較低廉的價(jià)格，因此硅晶圓基板芯片將成為未來(lái)LED照明市場(chǎng)更具吸引力和價(jià)格優(yōu)勢(shì)的選擇。此外，該款新型高性能藍(lán)白光LED的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)也可與傳統(tǒng)藍(lán)寶石基板相媲美，經(jīng)測(cè)試藍(lán)光UX:3芯片在3.15V電壓下，照明亮度可達(dá)634毫瓦，相當(dāng)于58%的轉(zhuǎn)化效率，是1平方毫米芯片350毫安電流下LED照明獲得的較為出色的數(shù)值。
    歐司朗公司該項(xiàng)研發(fā)活動(dòng)受到了德國(guó)聯(lián)邦教研部（BMBF）《硅晶圓基板上氮化鎵 (GaNonSi)》 項(xiàng)目的資助。