韓將邁入新一代芯片時(shí)代

韓國(guó)三星電子22日在京畿道華城舉行20納米DRAM閃存量產(chǎn)慶祝儀式，三星電子表示，這標(biāo)志著采用20納米級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片將進(jìn)入量產(chǎn)階段，內(nèi)存芯片納米競(jìng)爭(zhēng)已然落幕，從而正式邁入下一代芯片時(shí)代。

    報(bào)道稱，內(nèi)存芯片16號(hào)生產(chǎn)線是一棟占地19.8萬(wàn)平方米的12層建筑，是世界最大的內(nèi)存芯片生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線用12英寸晶圓每月生產(chǎn)1萬(wàn)個(gè)用于數(shù)碼相機(jī)和智能手機(jī)的20納米級(jí)閃存。

    三星電子介紹說(shuō)，芯片內(nèi)部的電子線路由無(wú)數(shù)微細(xì)的電線緊湊而成。電線越細(xì)，在同一面積上裝載的電子零件越多，就能儲(chǔ)存更多信息。但如果電線過(guò)細(xì)，流經(jīng)芯片線路的電流會(huì)發(fā)生干擾和沖突，從而引發(fā)故障。全球芯片生產(chǎn)商為了把電線直徑縮小到相當(dāng)于人類頭發(fā)絲萬(wàn)分之一的納米單位，展開(kāi)了激烈的競(jìng)爭(zhēng)。20納米級(jí)工藝和30納米級(jí)工藝生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存芯片性能相同，但產(chǎn)量可提高50%，三星的競(jìng)爭(zhēng)力就在于該微細(xì)工藝技術(shù)。
    據(jù)悉，三星在1992年后第一個(gè)研發(fā)出最微細(xì)的芯片生產(chǎn)工藝，并引領(lǐng)內(nèi)存芯片市場(chǎng)。三星電子強(qiáng)調(diào)，這是世界最大的內(nèi)存芯片生產(chǎn)商三星用來(lái)與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手進(jìn)一步拉大差距的利器，在下一代芯片競(jìng)爭(zhēng)中，兼?zhèn)湓瓌?chuàng)技術(shù)和量產(chǎn)技術(shù)的韓國(guó)企業(yè)具有更強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。